复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院科研团队日前发布一项半导体电荷存储技术，每秒可执行25亿次操作，这是迄今为止全球最快的半导体电荷存储技术。这一成果已在国际知名学术期刊《自然》发表。复旦大学科研团队将这个存储器命名为“破晓”，只有1平方厘米大小，外观和普通存储器别无二致，然而它通过创新的物理机制，将存储器擦写速度提升到400皮秒实现一次擦或者写，一皮秒只相当于一万亿分之一秒。“破晓”这个速度相当于每秒可执行25亿次操作，比传统闪存快一百万倍。