俄罗斯托姆斯克工业大学的研究人员用碳离子的短脉冲波作用于硅，在硅表面合成纳米金刚石粒子和碳粒子，在世界上首次在其他物质表层内部合成纳米金刚石粒子。该技术能够改变金属制品和半导体的某些性质，让某些材料变得更加坚固，提高其耐磨性以及同金刚石镀层的粘结强度，在半导体照明产业甚至整个半导体工业具有很好的应用前景。

　　学者认为，由于金刚石纳米粒子是在高温高压条件下产生，而碳离子总是在发生伴生作用。因此，这种合成方法不仅可以通过硅实现，也可以在其他物质内部实现。据悉，该大学于2012年获得碳植入专利，该专利被列入俄罗斯知识产权局公布的“俄罗斯100项优秀发明专利”之中。